DC12V电源因其低电压特性,被广泛应用于智能插座、智能门锁、电动牙刷等家用电器产品,车载导航、行车记录仪、车载充电器等汽车电子系统,摄像头、传感器等安防设备,无线通信模块、小型基站等通信设备,医疗设备和新能源等领域,针对DC12V电源系统,为确保其稳定可靠,需设计完善的保护机制,如ESD静电保护、浪涌保护、短路过流保护、错接保护以及EMI/EMC抑制等,从而保障电路和设备的正常运行与安全性。
IEC 61000-4-2、EN 61000-4-2、GB/T 17626.2、IEC 61000-4-5、EN 61000-4-5、GB/T 17626.5
1、方案采用多级保护的方式,拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果,同时具有更强的设计兼容性;
2、初级通过在电源正负之间并接GMOV复合型浪涌保护器件做差模保护,GMOV在电路中可以实现几乎零漏电,提升防护电路的使用寿命;
3、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦,使前端大通流,高电压的GMOV能够快速响应,泄放大的浪涌能量;
4、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护;
5、在TVS管保护后级串接PMOS管或者低压降的肖特基二极管做极性反接保护,低内阻的MOS管可以有效降低功率损耗,减少发热量;
6、靠近芯片端并联一颗低VF的肖特基二极管,有利于负压浪涌防护与模拟雷击浪涌测试;
7、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管,提供浪涌泄放路径;
8、产品若涉及到绝缘耐压测试,可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现;
9、通过选择不同的保护器件,可以满足不同等级的测试保护需求。
▲展示方案仅供参考,如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制,请随时与我们联络,我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和解决方案。

| 规格型号 | 封装类型 | Pppm@ 10/1000μs (W) |
VRWM Max. (V) |
VBR@IT Min. (V) |
VBR@IT Max. (V) |
IT (mA) |
VC@IPP Max. (V) |
IPP@Max 10/1000μs (A) |
IR@VRWM Max. (uA) |
AEC-Q101 | Datasheet |
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| 规格型号 | 封装类型 | 极数 | 标称直流 击穿电压 @100V/S (V) |
Impulse Spark-over Voltage @100V/µS |
Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS |
Minmum Insulation Resistance (MΩ) |
Arc Voltage @1A (V) |
Surge Current 8/20µs (A) |
Cj @1MHz (pF) |
Datasheet |
|---|
| 规格型号 | 封装类型 | 典型平台电压 VP (V) |
Ip (A) |
最大允许 交流工作电压 Vac(V) |
最大允许 直流工作电压 Vdc(V) |
典型脉冲 峰值电压 VI(V) |
最大能量 10/1000μs (J) |
Datasheet |
|---|
| 规格型号 | 封装类型 | 类型 | VDS (V) |
VGS (V) |
VTH (MIN) (V) |
VTH (MAX) (V) |
ID @25°C (A) |
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) |
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) |
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) |
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) |
ESD | AEC-Q101 | Datasheet |
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| 规格型号 | 封装类型 | VRWM Max. (V) |
VBR@IT Min. (V) |
VBR@IT Max. (V) |
IT (mA) |
IPP@Max 8/20μs (A) |
VC@IPP Max. (V) |
IR@VRWM Max. (uA) |
AEC-Q101 | Datasheet |
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| 规格型号 | 封装类型 | 最大耗散功率 PD (mW) |
最大平均整流电流 IF Max(A) |
重复峰值反向电压VRRM (V) |
最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) |
最大正向电压 VF@IF (V) |
最大反向漏电流 IR@VRRM(mA) |
AEC-Q101 | Datasheet |
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