优恩推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件：

• 深回扫（Deep Snap Back）工艺，有效降低TVS管VC残压值。

• 采用CSP封装技术，大幅降低了TVS管电容值。
  

• 小体积：DFN0603、DFN1006封装。
  

         在当今高度集成化、小型化和智能化的电子产品市场中，EOS/ESD静电放电防护已成为确保产品稳定性和

可靠性的关键因素。随着USB 3.0/3.1、HDMI 2.0/2.1等高速数据接口的广泛应用，EOS/ESD现象对电子产品的威胁日益加剧。

        由于高速信号传输端口，信号的传输速率极高，对保护器件的寄生电容要求非常严格，低寄生电容的ESD保

护器件能够减少对信号传输的干扰，保证信号的完整性和传输效率，同时在高速信号传输中，低VC是保护器件选择的关键因素

之一。VC越低保护效果越好，从而更有效地保护后级芯片不受损害。

       为此，优恩半导体采用深回扫（Deep Snap Back）工艺结合CSP封装技术，开发出保护效果极佳的高速信号

ESD静电保护器件，

1、回扫后平台电压可控制到2V左右，超低的钳位电压对同等强度的ESD静电放电及EOS干扰，比常规ESD保护器

件具有更好的保护效果。

                                                                            残压测试波形图

2、具有极小的寄生电容0.08PF，能够有效的避免对高速信号的干扰，支持更高的通信速率。

                                                                              电容实测图

此产品适用于USB 3.0/3.1/3.2、HDMI 2.0/2.1、Serial ATA、高清数字视频接口等高速数据传输接口。

1、器件规格表

2、应用推荐

• USB 3.0/3.1/3.2

• HDMI 2.0/2.1

• Serial ATA

• LVDS

• DP

3、关键数据展示

       优恩半导体一直致力于EMC防护器件的研发及技术创新，为客户提供更好更优的器件及保护解决方案是我们前进

的动力。我们的产品已经在消费类电子、通信、汽车电子、工业控制等众多领域都有着广泛的应用。

若需咨询产品技术的详细信息，并获得销售或技术支持，请联络我们。

                                                                                                                                                    优恩半导体

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