封装类型 | DFN1006-3L |
类型 | NMOS |
VDS (V) | 100 |
VGS (V) | ±20 |
VTH (MIN) (V) | 0.8 |
VTH (MAX) (V) | 2.0 |
ID @25°C (A) | 0.28 |
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) | 3200 |
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) | 6000 |
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) | 3800 |
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) | 10000 |
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ) | / |
ESD | YES |
AEC-Q101 | NO |
UN010N88DE.pdf