封装类型 | SOT-26 |
类型 | NMOS |
VDS (V) | 20 |
VGS (V) | ±12 |
VTH (MIN) (V) | 0.5 |
VTH (MAX) (V) | 1.2 |
ID @25°C (A) | 6.8 |
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) | / |
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) | / |
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) | 13 |
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) | 14.5 |
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ) | 17 |
ESD | NO |
AEC-Q101 | NO |
UN200DN26T.pdf