封装类型 | DFN1006-3L |
类型 | NMOS |
VDS (V) | 20 |
VGS (V) | ±12 |
VTH (MIN) (V) | 0.35 |
VTH (MAX) (V) | 1.1 |
ID @25°C (A) | 1.0 |
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) | / |
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) | / |
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) | 190 |
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) | 300 |
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ) | 250 |
ESD | YES |
AEC-Q101 | NO |
UN200N88DE.pdf