AC220V供电端口保护应用推荐 | 深圳市优恩半导体有限公司

热失效保护高靠性-差共模浪涌防护方案

UN2410-1500TS

封装类型 2410，熔断特性 Time Lag，本体材质 Ceramic，额定电流（A） 5.000，额定电压 250VAC，静态电阻 (mΩ) 10.2-13.1，标称熔融值 (A2sec) 64.0

UN2410-1630TS

封装类型 2410，熔断特性 Time Lag，本体材质 Ceramic，额定电流（A） 6.300，额定电压 250VAC，静态电阻 (mΩ) 7.6-10.1，标称熔融值 (A2sec) 81.0

UN2410-1700TS

封装类型 2410，熔断特性 Time Lag，本体材质 Ceramic，额定电流（A） 7.000，额定电压 250VAC，静态电阻 (mΩ) 6.7-7.9，标称熔融值 (A2sec) 110.0

UN2410-1800TS

封装类型 2410，熔断特性 Time Lag，本体材质 Ceramic，额定电流（A） 8.000，额定电压 250VAC，静态电阻 (mΩ) 5.4-6.3，标称熔融值 (A2sec) 133.1

UN2410-2100TS

封装类型 2410，熔断特性 Time Lag，本体材质 Ceramic，额定电流（A） 10.00，额定电压 250VAC，静态电阻 (mΩ) 4.1-5.1，标称熔融值 (A2sec) 158.4

UN2410-2150TS

封装类型 2410，熔断特性 Time Lag，本体材质 Ceramic，额定电流（A） 15.00，额定电压 250VAC，静态电阻 (mΩ) 2.7，标称熔融值 (A2sec) 247.5

1D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 1.0，最大稳态电流 (A) 4.5，残余电阻 (Ω) 0.073，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 68/270，工作温度 (°C) -40~+150

1.5D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 1.5，最大稳态电流 (A) 4.5，残余电阻 (Ω) 0.082，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 68/270，工作温度 (°C) -40~+175

2.5D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 2.5，最大稳态电流 (A) 4.0，残余电阻 (Ω) 0.113，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 68/270，工作温度 (°C) -40~+175

3D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 3.0，最大稳态电流 (A) 4.0，残余电阻 (Ω) 0.120，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 68/270，工作温度 (°C) -40~+175

5D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 5.0，最大稳态电流 (A) 3.0，残余电阻 (Ω) 0.210，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 68/270，工作温度 (°C) -40~+175

8D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 6.0，最大稳态电流 (A) 2.0，残余电阻 (Ω) 0.380，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 100/390，工作温度 (°C) -40~+175

10D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 8.0，最大稳态电流 (A) 2.0，残余电阻 (Ω) 0.405，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 100/390，工作温度 (°C) -40~+175

12D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 10，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 0.993，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 100/390，工作温度 (°C) -40~+175

15D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 12，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.039，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 100/390，工作温度 (°C) -40~+175

16D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 15，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.045，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 100/390，工作温度 (°C) -40~+175

18D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 16，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.113，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/560，工作温度 (°C) -40~+175

20D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 18，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.192，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/560，工作温度 (°C) -40~+175

22D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 20，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.248，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/560，工作温度 (°C) -40~+175

33D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 33，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.455，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/560，工作温度 (°C) -40~+175

50D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 50，最大稳态电流 (A) 1.0，残余电阻 (Ω) 1.492，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/560，工作温度 (°C) -40~+175

60D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 60，最大稳态电流 (A) 0.8，残余电阻 (Ω) 1.662，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/560，工作温度 (°C) -40~+175

100D-9

封装类型 disc 9mm，额定电阻 R25 (Ω) 100，最大稳态电流 (A) 0.8，残余电阻 (Ω) 2.761，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 100/390，工作温度 (°C) -40~+175

1D-11

封装类型 disc 11mm，额定电阻 R25 (Ω) 1.0，最大稳态电流 (A) 5.0，残余电阻 (Ω) 0.127，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/270，工作温度 (°C) -40~+175

1.5D-11

封装类型 disc 11mm，额定电阻 R25 (Ω) 1.5，最大稳态电流 (A) 5.0，残余电阻 (Ω) 0.131，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/270，工作温度 (°C) -40~+175

2.5D-11

封装类型 disc 11mm，额定电阻 R25 (Ω) 2.5，最大稳态电流 (A) 5.0，残余电阻 (Ω) 0.135，最大允许使用电容值 240V/120V (μF) 150/270，工作温度 (°C) -40~+175

14M471K

封装类型 disc 14mm，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775，Ip (A) 50，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，最大能量 (2ms) （J） 125，最大承受电流 @8/20µs 6000

14E471K

14N471K

14M511K

封装类型 disc 14mm，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845，Ip (A) 50，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，最大能量 (2ms) （J） 136，最大承受电流 @8/20µs 6000

14E511K

14N511K

14M561K

封装类型 disc 14mm，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920，Ip (A) 50，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，最大能量 (2ms) （J） 140，最大承受电流 @8/20µs 6000

14E561K

14N561K

20M471K

封装类型 disc 20mm，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775，Ip (A) 100，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，最大能量 (2ms) （J） 250，最大承受电流 @8/20µs 10000

20E471K

20N471K

20M511K

封装类型 disc 20mm，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845，Ip (A) 100，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，最大能量 (2ms) （J） 270，最大承受电流 @8/20µs 10000

20E511K

20N511K

20M561K

封装类型 disc 20mm，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920，Ip (A) 100，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，最大能量 (2ms) （J） 280，最大承受电流 @8/20µs 10000

20E561K

20N561K

14D471KJ

封装类型 disc 14mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大承受电流 @8/20µs 6000，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775@50A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 175

14D511KJ

封装类型 disc 14mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大承受电流 @8/20µs 6000，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845@50A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 180

14D561KJ

封装类型 disc 14mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大承受电流 @8/20µs 6000，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920@50A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 185

14D471KSC

封装类型 disc 14mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大承受电流 @8/20µs 6KV/3KA，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 40，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 175

14D511KSC

封装类型 disc 14mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大承受电流 @8/20µs 6KV/3KA，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 40，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845@25A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 180

14D561KSC

封装类型 disc 14mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大承受电流 @8/20µs 6KV/3KA，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 40，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920@25A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 185

20D471K

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大承受电流 @8/20µs 6500，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 220

20D471KJ

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大承受电流 @8/20µs 10000，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 350

20D511K

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大承受电流 @8/20µs 6500，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 225

20D511KJ

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大承受电流 @8/20µs 10000，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 360

20D561K

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大承受电流 @8/20µs 6500，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 230

20D561KJ

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大承受电流 @8/20µs 10000，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 1，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 380

20D471KYC

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 300，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 385，压敏电压 @1mA (V) 470(423-517)，最大承受电流 @8/20µs 10KV/5KA，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 40，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 775，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 385

20D511KYC

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 320，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 415，压敏电压 @1mA (V) 510(459-561)，最大承受电流 @8/20µs 10KV/5KA，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 40，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 845@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 396

20D561KYC

封装类型 disc 20mm，最大允许交流工作电压 Vac(V) 350，最大允许直流工作电压 Vdc(V) 460，压敏电压 @1mA (V) 560(504-616)，最大承受电流 @8/20µs 10KV/5KA，承受最大电流冲击次数 @8/20µs 40，最大箝位电压 @Ip Vc(V) 920@100A，Maximum Energy (10/1000µs) （J） 418

封装类型 DIP5562，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 600±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1100，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1200，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-800LL

封装类型 DIP5562，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 800±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1200，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1400，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-2700LL

封装类型 DIP5562，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 2700±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 3800，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 4000，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~25，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-3000LL

封装类型 DIP5562，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 3000±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 4300，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 4500，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~25，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-600L

封装类型 SMD5560，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 600±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1100，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1200，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-800L

封装类型 SMD5560，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 800±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1200，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1400，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-2700L

封装类型 SMD5560，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 2700±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 3800，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 4000，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~25，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-3000L

封装类型 SMD5560，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 3000±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 4300，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 4500，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~25，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-600LSMD

封装类型 SMD5042，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 600±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1100，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1200，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-800LSMD

封装类型 SMD5042，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 800±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1200，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1400，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-2700LSMD

封装类型 SMD5042，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 2700±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 3500，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 3800，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E5-3000LSMD

封装类型 SMD5042，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 3000±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 3800，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 4000，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 5000，Cj @1MHz (pF) 1.0

UN2E8-600M

封装类型 SMD8060，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 600±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1100，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1200，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 10000，Cj @1MHz (pF) 1.5

UN2E8-800M

封装类型 SMD8060，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 800±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1200，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1400，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 10000，Cj @1MHz (pF) 1.5

UN2E8-600H

UN2E8-800H

封装类型 SMD8060，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 600±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1200，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1400，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 20000，Cj @1MHz (pF) 1.5

UN2E8-600ML

封装类型 DIP8062，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 600±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1100，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1200，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 10000，Cj @1MHz (pF) 1.5

UN2E8-800ML

封装类型 DIP8062，极数 2，标称直流击穿电压 @100V/S （V） 800±20%，Impulse Spark-over Voltage @100V/µS 1200，Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS 1400，Minmum Insulation Resistance (MΩ) 1000，Arc Voltage @1A (V) ~20，Surge Current 8/20µs (A) 10000，Cj @1MHz (pF) 1.5

UN2E8-600HL

UN2E8-800HL

UN657N1K2-T20F

封装类型 TO-220F，类型 NMOS，VDS (V) 650，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 7.0，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 1210，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1550，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN6501N810-T20F

封装类型 TO-220F，类型 NMOS，VDS (V) 650，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 10，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 810，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1000，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN6501N870-T20F

封装类型 TO-220F，类型 NMOS，VDS (V) 650，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 10，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 870，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1000，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN6502N420-T20F

封装类型 TO-220F，类型 NMOS，VDS (V) 650，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 20，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 420，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 500，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN7001N790-T20F

封装类型 TO-220F，类型 NMOS，VDS (V) 700，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 10，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 790，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1000，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN9001N700-T20F

封装类型 TO-220F，类型 NMOS，VDS (V) 900，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 10，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 700，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 900，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN6501N810-T20

封装类型 TO-220，类型 NMOS，VDS (V) 650，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 10，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 810，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1000，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN6502N420-T20

封装类型 TO-220，类型 NMOS，VDS (V) 650，VGS (V) ±30，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 20，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 420，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 500，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0315N1R6-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 30，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 3.0，ID @25°C (A) 152，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 1.6，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 2.4，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 2.3，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 3.5，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0325N0R8-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 30，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.0，ID @25°C (A) 250，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 0.85，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1.35，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 1.1，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 1.6，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0405N2R4-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 59，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 2.4，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 4.0，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 4.0，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 5.2，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0408N2R0-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 85，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 2.0，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 3.0，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 3.2，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 4.0，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0412N2R0-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) +20/-12，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 4.0，ID @25°C (A) 125，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 2.0，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 3.2，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0413N1R4-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 139，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 1.4，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 2.4，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 1.8，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 3.0，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0415N1R2-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 156，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 1.2，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1.9，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 1.7，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 2.5，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0419N1R3-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 191，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 1.3，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 1.7，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 2.2，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 2.7，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0419N1R7-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 5.0，ID @25°C (A) 190，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 1.7，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 2.4，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 2.7，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 3.4，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0603N011-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 60，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.4，VTH (MAX) (V) 2.2，ID @25°C (A) 39，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 11，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 14，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 14，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 17，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0604N5R2-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 60，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.4，VTH (MAX) (V) 2.2，ID @25°C (A) 48，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 5.2，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 6.5，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 6.6，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 8.5，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0610N2R5-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 60，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 3.0，ID @25°C (A) 100，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 2.5，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 3.5，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 3.5，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 5.0，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0807N5R5-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 80，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 2.3，VTH (MAX) (V) 2.7，ID @25°C (A) 73，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 5.4，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 6.5，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 6.5，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 8.5，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN1008N4R6-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 100，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 2.0，VTH (MAX) (V) 3.0，ID @25°C (A) 85，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 4.6，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 6.0，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) /，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) /，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN1012N3R4-PD56

封装类型 PDFN5*6-8L，类型 NMOS，VDS (V) 100，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.5，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 100，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 3.4，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 4.0，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 5.0，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 6.0，ESD NO，AEC-Q101 NO

UN0403N013-PD33

封装类型 PDFN3*3-8L，类型 NMOS，VDS (V) 40，VGS (V) ±20，VTH (MIN) (V) 1.0，VTH (MAX) (V) 2.5，ID @25°C (A) 36，RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ) 11，RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ) 14，RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ) 13，RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ) 16，ESD NO，AEC-Q101 NO

SS14GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 1，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 25，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS16GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 1，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 25，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS110GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 1，重复峰值反向电压VRRM (V) 100，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 25，最大正向电压 VF@IF (V) 0.85，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.2，AEC-Q101 NO

SS24GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 2，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 50，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS26GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 2，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 50，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS210GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 2，重复峰值反向电压VRRM (V) 100，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 50，最大正向电压 VF@IF (V) 0.85，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS34GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 3，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 80，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS36GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 3，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 80，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS310GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 3，重复峰值反向电压VRRM (V) 100，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 80，最大正向电压 VF@IF (V) 0.85，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS54GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 5，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 120，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 1，AEC-Q101 NO

SS56GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 5，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 120，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 1，AEC-Q101 NO

SS510GF

封装类型 SMAF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 5，重复峰值反向电压VRRM (V) 100，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 120，最大正向电压 VF@IF (V) 0.85，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 1，AEC-Q101 NO

SS24BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 2，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 50，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS26BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 2，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 50，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS210BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 2，重复峰值反向电压VRRM (V) 100，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 50，最大正向电压 VF@IF (V) 0.85，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS34BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 3，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 80，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.5，AEC-Q101 NO

SS36BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 3，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 80，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS310BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 3，重复峰值反向电压VRRM (V) 100，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 80，最大正向电压 VF@IF (V) 0.85，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 0.3，AEC-Q101 NO

SS54BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 5，重复峰值反向电压VRRM (V) 40，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 120，最大正向电压 VF@IF (V) 0.55，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 1，AEC-Q101 NO

SS56BGF

封装类型 SMBF，最大耗散功率 PD (mW) null，最大平均整流电流 IF Max(A) 5，重复峰值反向电压VRRM (V) 60，最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A) 120，最大正向电压 VF@IF (V) 0.7，最大反向漏电流 IR@VRRM（mA） 1，AEC-Q101 NO

推荐产品

瞬态抑制二极管/标准产品

规格型号	封装类型	Pppm@ 10/1000μs (W)	VRWM Max. (V)	VBR@IT Min. (V)	VBR@IT Max. (V)	IT (mA)	VC@IPP Max. (V)	IPP@Max 10/1000μs (A)	IR@VRWM Max. (uA)	AEC-Q101	Datasheet
P6SMB10A	SMB/DO-214AA	600	8.6	9.5	10.5	1	14.5	41.38	10.0	NO

陶瓷气体放电管

规格型号	封装类型	极数	标称直流击穿电压 @100V/S （V）	Impulse Spark-over Voltage @100V/µS	Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS	Minmum Insulation Resistance (MΩ)	Arc Voltage @1A (V)	Surge Current 8/20µs (A)	Cj @1MHz (pF)
UN2E5-800LL	DIP5562	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-600LL	DIP5562	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-600L	SMD5560	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-800L	SMD5560	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-2700LL	DIP5562	2	2700±20%	3800	4000	1000	~25	5000	1.0
UN2E5-3000LL	DIP5562	2	3000±20%	4300	4500	1000	~25	5000	1.0
UN2E5-2700L	SMD5560	2	2700±20%	3800	4000	1000	~25	5000	1.0
UN2E5-3000L	SMD5560	2	3000±20%	4300	4500	1000	~25	5000	1.0
UN2E5-600LSMD	SMD5042	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-800LSMD	SMD5042	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-2700LSMD	SMD5042	2	2700±20%	3500	3800	1000	~20	5000	1.0
UN2E5-3000LSMD	SMD5042	2	3000±20%	3800	4000	1000	~20	5000	1.0
UN2E8-600M	SMD8060	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	10000	1.5
UN2E8-800M	SMD8060	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	10000	1.5
UN2E8-600H	SMD8060	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	20000	1.5
UN2E8-800H	SMD8060	2	600±20%	1200	1400	1000	~20	20000	1.5
UN2E8-600ML	DIP8062	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	10000	1.5
UN2E8-800ML	DIP8062	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	10000	1.5
UN2E8-600HL	DIP8062	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	20000	1.5
UN2E8-800HL	DIP8062	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	20000	1.5
UN2E8-800MSMD	SMD8362	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	10000	1.5
UN2E8-600MSMD	SMD8362	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	10000	1.5
UN2E8-600HSMD	SMD8362	2	600±20%	1100	1200	1000	~20	20000	1.5
UN2E8-800HSMD	SMD8362	2	800±20%	1200	1400	1000	~20	20000	1.5
UN2E8-2700LL	DIP8062	2	2700±20%	3800	4000	1000	~25	5000	1.5
UN2E8-3000LL	DIP8062	2	3000±20%	4300	4500	1000	~25	5000	1.5
UN2E8-2700L	SMD8060	2	2700±20%	3800	4000	1000	~25	5000	1.5
UN2E8-3000L	SMD8060	2	3000±20%	4300	4500	1000	~25	5000	1.5

压敏电阻/插件类

规格型号	封装类型	最大允许交流工作电压 Vac(V)	最大允许直流工作电压 Vdc(V)	压敏电压 @1mA (V)	最大承受电流 @8/20µs	承受最大电流冲击次数 @8/20µs	最大箝位电压 @Ip Vc(V)	Maximum Energy (10/1000µs) （J）
20D471KYC	disc 20mm	300	385	470(423-517)	10KV/5KA	40	775	385
20D511KYC	disc 20mm	320	415	510(459-561)	10KV/5KA	40	845@100A	396
20D561KYC	disc 20mm	350	460	560(504-616)	10KV/5KA	40	920@100A	418
14D471KJ	disc 14mm	300	385	470(423-517)	6000	1	775@50A	175
14D511KJ	disc 14mm	320	415	510(459-561)	6000	1	845@50A	180
14D561KJ	disc 14mm	350	460	560(504-616)	6000	1	920@50A	185
14D471KSC	disc 14mm	300	385	470(423-517)	6KV/3KA	40	775	175
14D511KSC	disc 14mm	320	415	510(459-561)	6KV/3KA	40	845@25A	180
14D561KSC	disc 14mm	350	460	560(504-616)	6KV/3KA	40	920@25A	185
20D471K	disc 20mm	300	385	470(423-517)	6500	1	775@100A	220
20D471KJ	disc 20mm	300	385	470(423-517)	10000	1	775@100A	350
20D511K	disc 20mm	320	415	510(459-561)	6500	1	845@100A	225
20D511KJ	disc 20mm	320	415	510(459-561)	10000	1	845@100A	360
20D561K	disc 20mm	350	460	560(504-616)	6500	1	920@100A	230
20D561KJ	disc 20mm	350	460	560(504-616)	10000	1	920@100A	380

压敏电阻/TMOV

规格型号	封装类型	压敏电压 @1mA (V)	最大箝位电压 @Ip Vc(V)	Ip (A)	最大允许交流工作电压 Vac(V)	最大允许直流工作电压 Vdc(V)	最大能量 (2ms) （J）	最大承受电流 @8/20µs
14N471K	disc 14mm	470(423-517)	775	50	300	385	125	6000
14N511K	disc 14mm	510(459-561)	845	50	320	415	136	6000
14N561K	disc 14mm	560(504-616)	920	50	350	460	140	6000
20N471K	disc 20mm	470(423-517)	775	100	300	385	250	10000
20N511K	disc 20mm	510(459-561)	845	100	320	415	270	10000
20N561K	disc 20mm	560(504-616)	920	100	350	460	280	10000
14M471K	disc 14mm	470(423-517)	775	50	300	385	125	6000
14E471K	disc 14mm	470(423-517)	775	50	300	385	125	6000
20M471K	disc 20mm	470(423-517)	775	100	300	385	250	10000
20E471K	disc 20mm	470(423-517)	775	100	300	385	250	10000
14M511K	disc 14mm	510(459-561)	845	50	320	415	136	6000
14E511K	disc 14mm	510(459-561)	845	50	320	415	136	6000
20M511K	disc 20mm	510(459-561)	845	100	320	415	270	10000
20E511K	disc 20mm	510(459-561)	845	100	320	415	270	10000
14M561K	disc 14mm	560(504-616)	920	50	350	460	140	6000
14E561K	disc 14mm	560(504-616)	920	50	350	460	140	6000
20M561K	disc 20mm	560(504-616)	920	100	350	460	280	10000
20E561K	disc 20mm	560(504-616)	920	100	350	460	280	10000

功率 MOS

规格型号	封装类型	类型	VDS (V)	VGS (V)	VTH (MIN) (V)	VTH (MAX) (V)	ID @25°C (A)	RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)	RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)	RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)	RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)	ESD	AEC-Q101
UN6501N870-T20F	TO-220F	NMOS	650	±30	2.0	4.0	10	870	1000	/	/	NO	NO
UN6501N810-T20F	TO-220F	NMOS	650	±30	2.0	4.0	10	810	1000	/	/	NO	NO
UN657N1K2-T20F	TO-220F	NMOS	650	±30	2.0	4.0	7.0	1210	1550	/	/	NO	NO
UN6502N420-T20F	TO-220F	NMOS	650	±30	2.0	4.0	20	420	500	/	/	NO	NO
UN7001N790-T20F	TO-220F	NMOS	700	±30	2.0	4.0	10	790	1000	/	/	NO	NO
UN9001N700-T20F	TO-220F	NMOS	900	±30	2.0	4.0	10	700	900	/	/	NO	NO
UN6501N810-T20	TO-220	NMOS	650	±30	2.0	4.0	10	810	1000	/	/	NO	NO
UN6502N420-T20	TO-220	NMOS	650	±30	2.0	4.0	20	420	500	/	/	NO	NO
UN0315N1R6-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	30	±20	1.0	3.0	152	1.6	2.4	2.3	3.5	NO	NO
UN0325N0R8-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	30	±20	1.0	2.0	250	0.85	1.35	1.1	1.6	NO	NO
UN0405N2R4-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	±20	1.0	2.5	59	2.4	4.0	4.0	5.2	NO	NO
UN0408N2R0-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	±20	1.0	2.5	85	2.0	3.0	3.2	4.0	NO	NO
UN0412N2R0-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	+20/-12	2.0	4.0	125	2.0	3.2	/	/	NO	NO
UN0413N1R4-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	±20	1.0	2.5	139	1.4	2.4	1.8	3.0	NO	NO
UN0415N1R2-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	±20	1.0	2.5	156	1.2	1.9	1.7	2.5	NO	NO
UN0419N1R3-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	±20	1.0	2.5	191	1.3	1.7	2.2	2.7	NO	NO
UN0419N1R7-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	40	±20	2.0	5.0	190	1.7	2.4	2.7	3.4	NO	NO
UN0603N011-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	60	±20	1.4	2.2	39	11	14	14	17	NO	NO
UN0604N5R2-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	60	±20	1.4	2.2	48	5.2	6.5	6.6	8.5	NO	NO
UN0610N2R5-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	60	±20	1.0	3.0	100	2.5	3.5	3.5	5.0	NO	NO
UN0807N5R5-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	80	±20	2.3	2.7	73	5.4	6.5	6.5	8.5	NO	NO
UN1008N4R6-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	100	±20	2.0	3.0	85	4.6	6.0	/	/	NO	NO
UN1012N3R4-PD56	PDFN5*6-8L	NMOS	100	±20	1.5	2.5	100	3.4	4.0	5.0	6.0	NO	NO
UN0403N013-PD33	PDFN3*3-8L	NMOS	40	±20	1.0	2.5	36	11	14	13	16	NO	NO

熔断式保险丝

规格型号	封装类型	熔断特性	本体材质	额定电流（A）	额定电压	静态电阻 (mΩ)	标称熔融值 (A2sec)
UN2410-1500TS	2410	Time Lag	Ceramic	5.000	250VAC	10.2-13.1	64.0
UN2410-1630TS	2410	Time Lag	Ceramic	6.300	250VAC	7.6-10.1	81.0
UN2410-1700TS	2410	Time Lag	Ceramic	7.000	250VAC	6.7-7.9	110.0
UN2410-1800TS	2410	Time Lag	Ceramic	8.000	250VAC	5.4-6.3	133.1
UN2410-2100TS	2410	Time Lag	Ceramic	10.00	250VAC	4.1-5.1	158.4
UN2410-2150TS	2410	Time Lag	Ceramic	15.00	250VAC	2.7	247.5

整流桥

规格型号	封装类型	最大平均整流电流 IF Max(A)	最大峰值反向电压 VRRM (V)	最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A)	最大正向电压 VF@IF (V)	最大反向漏电流 IR@VRRM（mA）	Datasheet
MB10F	MBF	0.8	1000	30	1.1	0.04

肖特基二极管

规格型号	封装类型	最大耗散功率 PD (mW)	最大平均整流电流 IF Max(A)	重复峰值反向电压VRRM (V)	最大峰值正向浪湧電流 IFSM (A)	最大正向电压 VF@IF (V)	最大反向漏电流 IR@VRRM（mA）	AEC-Q101
SS14GF	SMAF	-	1	40	25	0.55	0.3	NO
SS16GF	SMAF	-	1	60	25	0.7	0.3	NO
SS110GF	SMAF	-	1	100	25	0.85	0.2	NO
SS24GF	SMAF	-	2	40	50	0.55	0.5	NO
SS26GF	SMAF	-	2	60	50	0.7	0.5	NO
SS210GF	SMAF	-	2	100	50	0.85	0.3	NO
SS34GF	SMAF	-	3	40	80	0.55	0.5	NO
SS36GF	SMAF	-	3	60	80	0.7	0.5	NO
SS310GF	SMAF	-	3	100	80	0.85	0.3	NO
SS54GF	SMAF	-	5	40	120	0.55	1	NO
SS56GF	SMAF	-	5	60	120	0.7	1	NO
SS510GF	SMAF	-	5	100	120	0.85	1	NO
SS24BGF	SMBF	-	2	40	50	0.55	0.5	NO
SS26BGF	SMBF	-	2	60	50	0.7	0.5	NO
SS210BGF	SMBF	-	2	100	50	0.85	0.3	NO
SS34BGF	SMBF	-	3	40	80	0.55	0.5	NO
SS36BGF	SMBF	-	3	60	80	0.7	0.3	NO
SS310BGF	SMBF	-	3	100	80	0.85	0.3	NO
SS54BGF	SMBF	-	5	40	120	0.55	1	NO
SS56BGF	SMBF	-	5	60	120	0.7	1	NO
SS510BGF	SMBF	-	5	100	120	0.85	1	NO
SS14G	SMA	-	1	40	25	0.55	0.3	NO
SS16G	SMA	-	1	60	25	0.7	0.3	NO
SS110G	SMA	-	1	100	25	0.85	0.2	NO
SS24G	SMA	-	2	40	50	0.55	0.5	NO
SS26G	SMA	-	2	60	50	0.7	0.5	NO
SS210G	SMA	-	2	100	50	0.85	0.3	NO
SS34G	SMA	-	3	40	80	0.55	0.5	NO
SS36G	SMA	-	3	60	80	0.7	0.5	NO
SS310G	SMA	-	3	100	80	0.85	0.3	NO
SS54G	SMA	-	5	40	120	0.55	1	NO
SS56G	SMA	-	5	60	120	0.7	1	NO
SS510G	SMA	-	5	100	120	0.85	1	NO
SS24BG	SMB	-	2	40	55	0.55	0.5	NO
SS26BG	SMB	-	2	60	55	0.7	0.5	NO
SS210BG	SMB	-	2	100	45	0.85	0.3	NO
SS34BG	SMB	-	3	40	100	0.55	0.5	NO
SS36BG	SMB	-	3	60	100	0.7	0.5	NO
SS310BG	SMB	-	3	100	100	0.85	0.3	NO
SS54BG	SMB	-	5	40	150	0.55	1	NO
SS56BG	SMB	-	5	60	150	0.7	0.3	NO
SS510BG	SMB	-	5	100	150	0.85	0.3	NO
SS34CG	SMC	-	3	40	80	0.55	0.5	NO
SS36CG	SMC	-	3	60	80	0.7	0.5	NO
SS310CG	SMC	-	3	100	80	0.85	0.3	NO
SS54CG	SMC	-	5	40	175	0.55	1	NO
SS56CG	SMC	-	5	60	175	0.7	1	NO
SS510CG	SMC	-	5	100	150	0.85	1	NO

热敏电阻/功率型热敏电阻

规格型号	封装类型	额定电阻 R25 (Ω)	最大稳态电流 (A)	残余电阻 (Ω)	最大允许使用电容值 240V/120V (μF)	工作温度 (°C)
1D-9	disc 9mm	1.0	4.5	0.073	68/270	-40~+150
1.5D-9	disc 9mm	1.5	4.5	0.082	68/270	-40~+175
2.5D-9	disc 9mm	2.5	4.0	0.113	68/270	-40~+175
3D-9	disc 9mm	3.0	4.0	0.120	68/270	-40~+175
5D-9	disc 9mm	5.0	3.0	0.210	68/270	-40~+175
8D-9	disc 9mm	6.0	2.0	0.380	100/390	-40~+175
10D-9	disc 9mm	8.0	2.0	0.405	100/390	-40~+175
12D-9	disc 9mm	10	1.0	0.993	100/390	-40~+175
15D-9	disc 9mm	12	1.0	1.039	100/390	-40~+175
16D-9	disc 9mm	15	1.0	1.045	100/390	-40~+175
18D-9	disc 9mm	16	1.0	1.113	150/560	-40~+175
20D-9	disc 9mm	18	1.0	1.192	150/560	-40~+175
22D-9	disc 9mm	20	1.0	1.248	150/560	-40~+175
33D-9	disc 9mm	33	1.0	1.455	150/560	-40~+175
50D-9	disc 9mm	50	1.0	1.492	150/560	-40~+175
60D-9	disc 9mm	60	0.8	1.662	150/560	-40~+175
100D-9	disc 9mm	100	0.8	2.761	100/390	-40~+175
1D-11	disc 11mm	1.0	5.0	0.127	150/270	-40~+175
1.5D-11	disc 11mm	1.5	5.0	0.131	150/270	-40~+175
2.5D-11	disc 11mm	2.5	5.0	0.135	150/270	-40~+175
3D-11	disc 11mm	3.0	5.0	0.149	150/270	-40~+175
5D-11	disc 11mm	5.0	4.0	0.215	220/820	-40~+175
8D-11	disc 11mm	8.0	3.0	0.264	330/1200	-40~+175
10D-11	disc 11mm	10	3.0	0.273	330/1200	-40~+175
12D-11	disc 11mm	12	2.0	0.356	330/1200	-40~+175
16D-11	disc 11mm	16	2.0	0.513	330/1200	-40~+175
20D-11	disc 11mm	20	2.0	0.597	330/1200	-40~+175
22D-11	disc 11mm	22	2.0	0.597	330/1200	-40~+175
30D-11	disc 11mm	30	1.5	0.739	330/1200	-40~+175
33D-11	disc 11mm	33	1.5	0.799	330/1200	-40~+175
47D-11	disc 11mm	47	1.5	1.178	330/1200	-40~+175
50D-11	disc 11mm	50	1.5	1.264	330/1200	-40~+175
60D-11	disc 11mm	60	1.0	1.510	330/1200	-40~+175
100D-11	disc 11mm	100	0.8	2.561	330/1200	-40~+175
1.5D-13	disc 13mm	1.5	7.0	0.093	220/270	-40~+175
2.5D-13	disc 13mm	2.5	6.0	0.112	220/270	-40~+175
3D-13	disc 13mm	3.0	6.0	0.156	220/270	-40~+175
5D-13	disc 13mm	5.0	5.0	0.161	220/560	-40~+175
8D-13	disc 13mm	8.0	4.0	0.286	330/1200	-40~+175
10D-13	disc 13mm	10	4.0	0.286	330/1200	-40~+175
12D-13	disc 13mm	12	3.0	0.495	330/1200	-40~+175
15D-13	disc 13mm	15	3.0	0.498	330/1200	-40~+175
16D-13	disc 13mm	18	3.0	0.463	330/1200	-40~+175
20D-13	disc 13mm	20	3.0	0.574	330/1200	-40~+175
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