1、方案采用多级保护的方式,拥有更高的浪涌防护能力、更低的钳位电压、更好的防护效果,同时具有更强的设计兼容性;
2、初级通过在电源正负之间并接GMOV复合型浪涌保护器件做差模保护,GMOV在电路中可以实现几乎零漏电,提升防护电路的使用寿命;
3、通过在中间级串接一定感量的差模电感做退耦,使前端大通流,高电压的GMOV能够快速响应,泄放大的浪涌能量;
4、次级通过在电路上并接电压精度高、响应速度快、钳位电压低的TVS器件对后端电路进行精准保护;
5、在TVS管保护后级串接PMOS管或者低压降的肖特基二极管做极性反接保护,低内阻的MOS管可以有效降低功率损耗,减少发热量;
6、靠近芯片端并联一颗低VF的肖特基二极管,有利于负压浪涌防护与模拟雷击浪涌测试;
7、共模防护部分通过GND对PE并接陶瓷气体放电管,提供浪涌泄放路径;
8、产品若涉及到绝缘耐压测试,可以通过提高GND对PE并接的陶瓷气体放电管的电压实现;
9、通过选择不同的保护器件,可以满足不同等级的测试保护需求。
▲展示方案仅供参考,如需详细设计方案或根据您的保护等级要求进行定制,请随时与我们联络,我们将根据您的具体需求提供专业的技术支持和解决方案。